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FMB30H150SL 富滿微/FM MOS
30V,150A 場效應管
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
FMB30H120SL 富滿微/FM MOS
30V,123A 場效應管
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
FMB30H100SL 富滿微/FM MOS
30V,109A 場效應管
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
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